据外媒Semiconductor Engineering报导，三星电子近日在半导体产业会议Memcon 2024上表示，2025年后将进入3D DRAM时代。
三星预计，DRAM产业将于2030年前将制程压缩至10nm以下，现有设计方案更难扩展。因此，很多厂商正在开发3D DRAM多种创新型设计，以提高內存性能。
报道称，三星展示两项3D DRAM技术，包括垂直信道晶体管（Vertical Channel Transistor）和堆叠DRAM（Stacked DRAM）。相较传统晶体管结构，垂直信道晶体管将信道从水准变为垂直，大幅减少元件面积，但提升刻蚀精确度要求。
相较2D DRAM结构，堆叠DRAM可充分利用Z轴向空间，较小面积容纳更多存储单元，单晶片容纳提升至100G以上。有研究机构预计，3D DRAM市场发展，有望2028年达千亿美元规模。
而为了与其他內存制造商竞争，三星今年年初已经在美国硅谷设立新3D DRAM研发实验室，以开发先进內存。
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